STT-MRAM做缓存 固态硬盘再不怕掉电

  泡泡网固态硬盘SSD频道11月25日 Buffalo Memory今天宣布推出SS6系列固态硬盘,首次配备新型内存“STT-MRAM”作为缓存缓冲。

  STT-MRAM即自旋转移矩磁阻随机存储,采用自旋极化电流,以磁状态而非电子充电状态保存数据,相比传统的动态随机存储(DRAM)具有非易失性、高可靠性、超低延迟等特性,海力士、东芝等都在大力研发推进。

  STT-MRAM做缓存 固态硬盘再不怕掉电

  我们知道,现在很多固态硬盘都搭载了DRAM缓存,但市DRAM属于易失性存储,掉电就会丢失数据,为此不得不搭配备份电池或者超级电容,还要有高级掉电保护技术,软硬件成本都增加不少。

  STT-MRAM则是非易失性的,就像NAND闪存那样即使断电也能保留缓存的数据,并且不需要硬盘向闪存刷新缓存内容。

  Buffalo SS6使用了来自Everspin科技公司(飞思卡尔半导体投资组建)的DDR3 ST-MRAM(EMD3D064M),单颗容量64Mb(8MB),WBGA封装,完全兼容JEDEC DDR3接口规范,频率最高1600MHz,带宽最高3.2GB/s,延迟则是纳秒级别的。

  不过,Buffalo SS6主要面向工业领域,消费级领域暂时不会看到。详细的规格参数也没有公布,只知道是SATA 6Gbps接口。■

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